Pagina documente » Politehnica » Utilizarea tranzistorului bipolar

Despre lucrare

lucrare-licenta-utilizarea-tranzistorului-bipolar
Aceasta lucrare poate fi descarcata doar daca ai statut PREMIUM si are scop consultativ. Pentru a descarca aceasta lucrare trebuie sa fii utilizator inregistrat.
lucrare-licenta-utilizarea-tranzistorului-bipolar


Cuprins

Cuprins
Capitolul 1
UTILIZAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR
CA REZISTENTA CONTROLATA
1.1. Introducere
1.2. TB in saturatie controlat prin curentul de baza
1.3. TB in saturatie in regim de semnal mic, controlat prin curentul de baza
1.4. TB in saturatie controlat prin curentul de baza, fara componenta continua de curent de colector, in regim de semnal mic
1.5. TB in saturatie in regim de semnal mic, controlat prin tensiunea baza - emitor
Capitolul 2
Teoria compresiei de dinamica
2.1. Introducere
2.2. Principiul compresiei cu dispozitiv neliniar
2.3. Principiul compresiei cu control automat al amplificarii
2.4. Consideratii asupra subansamblelor din bucla AGC si a legii de compresie
Capitolul 3
Compresia instantanee a dinamicii
3.1. Introducere
3.2. Compresia logaritmica
3.3. Distorsiuni la compresia instantanee
3.4. Circuite pentru compresie instantanee logaritmica
Capitolul 4
Compresie de dinamica de anvelopa
4.1. Introducere. Anvelopa
4.2. Distorsiuni la compresia de anvelopa
4.3. Analiza unor compresoare de anvelopa in configuratii uzuale
4.3.1. Aspecte generale
4.3.2. Bucla AGC blocuri liniare (ACC si AE liniare)
4.3.3. Bucla AGC blocuri exponentiale: ACC logaritmic si AE exponential
4.4. Limite de functionare a subansamblelor din compresoarele de anvelopa cu
blocuri liniare
4.4.1. Introducere
4.4.2. Amplificatorul cu cistig controlat
4.4.3. Detectorul de anvelopa si filtrul trece jos
Capitolul 5
Proiectarea si realizarea unui compresor de anvelopa
pentru semnal vocal
5.1. Tema de proiectare
5.2. Solutia adoptata. Justificare
4.3. Proiectarea elementelor schemei compresorului

EXTRAS DIN DOCUMENT

?Capitolul 1

UTILIZAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR

CA REZISTENT? CONTROLAT?

1.1. Introducere

In cazul tranzistorului bipolar (TB), singurul regim in care curentul de colector (iC) depinde mult de tensiunea colector – emitor (vCE) este regimul de saturatie, realizat atunci cand ambele jonctiuni sunt polarizate direct. Pentru un TB tip npn, cu notatiile din fig. 1.1, saturatia se realizeaza in conditiile:

(1.1)

In acest regim, intre colector si emitor, TB se comporta ca o rezis­tenta controlata de tensiunea baza – emitor sau de curentul de baza.

Functionarea TB in saturatie poate fi descrisa de ecuatiile Ebers-Moll, de forma cunoscuta [1] [1 Dascalu, D., Rusu, A., Profirescu M., Costea, I., Dispozitive si circuite electronice, EDP, Bucuresti, 1982]. Utilizand factorii de ampli-ficare in curent BETA, direct ?F si invers ?R, ecuatiile se pot scrie sub forma:

(1.2)

(1.3)

ICBO – curentul de saturatie al jonctiunii colectoare (emitor in gol), vT tensiunea termica (aproximativ 0.025V la 20sC).

La ecuatiile (1.2), (1.3) se adauga relatiile:

(1.4)

(1.5)

In saturatie, tensiunea colector emitor este mica: si ca urmare in prima aproximatie se poate considera curentul de colector independent de dispozitiv, determinat de tensiunea de alimentare EC si rezistenta din colector RC: .

In prima etapa, se considera TB controlat prin curentul de baza, apoi se va studia comportarea cand controlul se face prin tensiunea baza – emitor.

1.2. TB in saturatie controlat prin curentul de baza

Pentru TB in conexiune EC, din relatiile (1.2) si (1.4) rezulta vBC in functie de iC, iB:

(1.6)

Din relatiile (1.3) si (1.4) rezulta vBE in functie de iC, iB:

(1.7)

Din relatiile (1.5), (1.6) si (1.7) rezulta vCE in functie de iC, iB:

(1.8)

Caracteristicile de iesire iC(vCE) la iB = constant, trasate pe baza relatiei (1.7) pentru TB de mica putere, tip BC847B/PLP cu ?F = 324.4, ?R = 8.3, ICBO = 10-12A, au aspectul din fig. 1.2. Toate caracteristicile trec printr-un punct K cu coordonate determinabile prin anularea derivatei din (1.8) in raport cu iB; rezulta:

(1.9)

Curentul de offset este foarte mic: . Tensiunea de offset , pentru , valori obisnuite la TB de semnal mic, este: .

Regiunea de saturatie (aria umbrita din fig. 1.2) se afla in cadranul 1 (iC > 0, vCE >0) si in cadranul 3 (iC < 0, vCE <0). In afara saturatiei sunt regiunile active, normala in cadranul 1 si inversata in cadranul 3.

Limitele saturatiei (curba punctata din fig. 1.2) se determina din conditiile (1.1). Pentru cadranul 1, din conditia vBC = 0 (aici vBE > 0), din (1.6) rezulta curentul de colector la limita de saturatie:

(1.10)

In cadranul 3, vCE < 0; impunand vBE = 0, din relatia (1.5) rezulta vBC > 0 si curentul de colector la limita de saturatie:

(1.11)

Pentru ca TB sa fie in saturatie, trebuie realizata conditia , sau:

(1.12)

Tensiunile colector – emitor la limita sa-turatiei, in cadranul 1 () si in cadranul 3 () se obtin din relatiile (1.8), (1.9) si (1.10):